中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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SJ 20073-1992 半导体集成电路jμ8254型可编程定时计数器详细规范（中英文版） Detailed specifications for Jμ8304 programmable timer/counter of semiconductor integrated circuit |
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SJ 20072-1992 半导体分立器件 ｇｈ２４、ｇｈ２５和ｇｈ２６型半导体光耦合器详细规范（中英文版） Detail specification for semiconductor opto-couplers for type GH24, GH25 and GH26 |
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SJ 20058-1992 半导体分立器件 ３ｄｋ１０５型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of type 3DK105 |
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SJ 20071-1992 半导体分立器件 ２ｃｋ４１４８型硅开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon switching diode for type 2CK4148 |
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SJ 20070-1992 半导体分立器件 ２ｃｋ１０５型硅开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon switching diode for type 2CK105 |
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SJ 20069-1992 半导体分立器件 ２ｃｋ７６型硅开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon switching diode for type 2CK76 |
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SJ 20068-1992 半导体分立器件 ２ｄｗ１４～１８型低噪声硅电压基准二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for type 2DW14~18 |
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SJ 20066-1992 半导体分立器件 ２ｃｌ３型硅高压整流堆详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack |
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SJ 20065-1992 半导体分立器件 ｑｌ７２型硅三相桥式整流器详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type QL72 silicon three phase full wave bridge rectifier |
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SJ 20064-1992 半导体分立器件 ｑｌ７１型硅单相桥式整流器详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type QL71 Silicon single phase full wave bridge rectifier |
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SJ 20063-1992 半导体分立器件 ３ｄｇ２１３型ｎｐｎ硅超高频低噪声双差分对晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG213 |
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SJ 20062-1992 半导体分立器件 ３ｄｇ２１０型ｎｐｎ硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG210 |
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SJ 20061-1992 半导体分立器件 ｃｓ１４６型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of type CS146 |
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SJ 20059-1992 半导体分立器件 ３ｄｇ１１１型ｎｐｎ硅高频小功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG111 |
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SJ 20057-1992 半导体分立器件 ３ｄｋ１０４型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of type 3DK104 |
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SJ 20056-1992 半导体分立器件 ３ｄｋ１０３型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of type 3DK103 |
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SJ 20055-1992 半导体分立器件 ３ｄｋ１０２型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of type 3DK102 |
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SJ 20054-1992 半导体分立器件 ３ｄｋ１０１型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of type 3DK101 |
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SJ 20083-1992 有可靠性指标的ｃｂｂｋ１１１型（非金属壳）聚丙烯膜介质直流固定电容器详细规范（中英文版） Capacitors, fixed, polypropylene filmed dielectric metal foil d.c. in nonmetal cases, established reliability, CBBK111 type detail specification for |
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SJ 20060-1992 半导体分立器件 ３ｄｇ１２０型ｎｐｎ硅高频小功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120 |
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